[0:00]Привет, друзья. Сегодня для меня довольно важная тема, можно сказать, что речь пойдёт о деградации процессоров, а может сказать, что речь пойдёт о рынке БУ.
[0:09]И другое дело, если вы целенаправленно отправились на какую-то интернет-барахолку типа Авито за БУшным процессором, тут вас ждёт совершенно другого рода опасность.
[0:16]Вот та самая полумифическая деградация, о которой, которую совсем немногие наблюдают в виду те специалисты, которые работают в области микроэлектроники.
[0:26]Но все они говорят. Некоторые безумцы со своими YouTube-каналами просто рассказывают какие-то сказки о том, что они держат 1,5 В на всех своих процессах, и всё нормально, ничего не горит.
[0:36]Естественно, ничего и не сгорит, но процессор после такого вот длительной работы на повышенном напряжении будет может заработать хуже, у него может стать хуже производительность, но совершенно точно у него ухудшится его основные характеристики.
[0:54]То есть напряжение нужно будет подавать для тех же самых частот выше и так далее. И сколько последователей решило, что 1,5 В норм и бесконтрольный разгон с дичайшими напряжениями VCC IO и SA - это норма.
[1:04]Как угадать, что ты покупаешь БУ проц не у такого владельца. Дело в том, что внешний, новый и сильно уставший процессор будут одинаковыми, будут работать, ну с какой производительностью?
[1:13]Это уже вопрос, чтобы проверить точно БУшный процессор, хорошо бы иметь новый или заведомо рабочий.
[1:20]Вот вам хороший пример. Вот процессор 3900X, и вот другой процессор 3900X.
[1:25]На одном из них, на моём экземпляре я заметил, что производительность его стала хуже, чем я рассчитывал.
[1:32]Вот я постоянно подвергал его всяким там истязаниям и вдруг неожиданно совершенно не то я получил в тесте.
[1:38]Тогда я взял у Олега другой экземпляр, вот этот, и о чудо, на ровном месте на тех же частотах процессора и памяти другой результат. 3-4% в тестах один из процессоров теряет в задачах, где он используется на 100%.
[1:51]В играх изменений либо нет, либо они малозаметны. Температура только у уставшего процессора непредсказуемо скачет.
[1:58]И если я буду продавать этот процессор, вряд ли будущий владелец быстро узнает, что показатели могли быть лучше.
[2:04]На IGides есть статья с наблюдениями за процессором, работающим постоянно в разгоне.
[2:08]Владелец нашёл минимальное напряжение, на котором процессор работает отлично, но со временем ему приходилось поднимать напряжение на 20 мВ каждый полгода, иначе компьютер уже не проходил один и тот же тест.
[2:18]Всего за 2,5 года напряжение 8700K пришлось повысить на 60 мВ, но в итоге всё равно пришлось снизить частоту на 100 МГц, чтобы проходить этот тест.
[2:27]Что происходит на физическом уровне с процессором? Этот вопрос я задал специалистам разных компаний, и вот давайте посмотрим ответ ведущего инженера-технолога ПАО Микрон, Евгения Морозова.
[2:39]Наши постоянные зрители могут помнить его по нашему же ролику с завода Микрон. Интегральная схема состоит из множества элементов: транзисторов, резисторов, конденсаторов, ячеек, диэлектрических изолирующих слоёв, металлических межсоединений и прочего.
[2:51]Всё это подвержено деградации от разных стрессовых факторов: ток, напряжение, температура, влажность, время. При повышении температуры чипа более 85° в многоуровневой металлизации, состоящей из слоёв металла, контактных переходов и межуровневых диэлектриков, происходит термическое расширение слоёв.
[3:08]Так как термические коэффициенты диэлектриков и металлов сильно отличаются, то имеет место значительный разброс механического давления слоёв друг на друга.
[3:17]Это может приводить к разрывам и образованию пустот в металлических шинах и или контактных переходов.
[3:26]Также и по тем же причинам может происходить разрушение диэлектрика между металлическими шинами. Ещё одно последствие воздействия высокой температуры - это деградация П-канальных транзисторов, которая происходит вследствие нахождения дырок в области канала транзистора при повышенной температуре больше 85° по Цельсию и отрицательному напряжению на затворе транзистора, что приводит сначала к образованию ловушек, а затем к захвату ловушками дырок в подзатворном окисле.
[3:47]Деградация происходит без протекания тока через канал транзистора. Со временем под воздействием токов можно наблюдать такой процесс, как электромиграция.
[3:55]Это физическое перемещение атомов металла под воздействием протекающего через металл тока электронного ветра. Вследствие электромиграции возможно появление утолщений, скопление атомов металла в одном месте.
[4:08]Металлическая разводка в схеме очень плотная, то есть соседние металлические шины расположены друг от друга на минимально допустимом по технологии расстоянии.
[4:15]И утолщение одной из шин может привести к закорачиванию с соседней шиной, что может привести как к повышению токов утечки, так и к полному отказу какого-то блока схемы и, как следствие, всей схемы тоже.
[4:27]Сейчас на изображениях, сделанных с помощью электронного микроскопа, вы видите состояние металлической шины после проведения испытаний на воздействие электромиграции.
[4:36]Тут и образование утолщений, и образование разрывов, вызванных протеканием тока. Направление протекания электронов по шине указано стрелкой.
[4:43]А на этом снимке боковой разрез структуры. Тёмная область - это пустота, образовавшаяся внутри металлической шины.
[4:52]Также в процессе воздействия на МУП-структуру электрического поля, через диэлектрик протекает так называемый туннельный ток Фаулера-Нордхейма. Из-за наличия в диэлектрике несовершенств, разрыв, ловушки и другое, и воздействие туннельного тока происходит локальная деградация изолирующих свойств диэлектрика и образование дефектов.
[5:08]В дальнейшем увеличение количества дефектов приводит к образованию за короткий между обкладками МОП-конденсатора и пробою диэлектрика.
[5:16]И наконец, деградация параметров транзисторов под воздействием горячих носителей является результатом физического разрушения поверхности раздела кремний-диоксид кремния, а также подзатворного окисла над областью канала, локализованная около стока МОП-транзистора.
[5:28]Разрушение вызвано инжекцией высокоэнергетических горячих носителей, электронов, дырок из канала в подзатворный окисел. Данный феномен приводит к ухудшению основных параметров МОП-транзистора: тока насыщения, порогового напряжения и максимального значения проводимости канала.
[5:43]В первую очередь на этот процесс влияют соотношение напряжений на стоке и затворе полевого транзистора. Как правило, одним из показателей генерации горячих носителей является максимальный ток в карман полевого транзистора.
[5:54]Таким образом, получается, что повышенная температура, высокие напряжения и токи ускоряют все перечисленные процессы, что ведёт к общему ухудшению всех свойств чипа.
[6:03]Итого, гарантия процессору необходима. Случится может, ну, конечно же, всякое.
[6:08]Покупая БУ, будьте, ну, не знаю, внимательны, всё, что вам остаётся. И процессоры, видеокарты, и память уже могли в достаточной степени подвергнуться той самой деградации, которую вот мы с вами сейчас описали.
[6:19]Особенно если это устройство работало, находилось в руках и работало на 1,5 В у юного оверклокера.
[6:26]Ну, там процессор, да, память там на 1,6 В, как советуют вредные каналы.
[6:31]На постоянке внешне вы это никак не определите, нужно просто заблаговременно выяснить нормальные напряжения, средние напряжения для этих процессоров и производительность.
[6:41]Конечно, с напряжениями тут всё индивидуально для каждого камня, так что этот вопрос сложный.
[6:47]Ну и на этом, друзья, всё. Я надеюсь, вы сегодня с удовольствием со мной подеградировали. Пока!
